Power N-MOSFET transistor 100V/0.17A; 225mW

lrc.png
Індекс Ropla LRC0017
Означення виробника LBSS123LT1G
Виробник LRC
Карта каталогу /lrc/lbss123lt1g.pdf lbss123lt1g.pdf (476,84KB)
Товарна група MOS, FET Transistors
Виробник LRC
Mounting Style SMD
Package/Case SOT-23
Transistor Type MOSFET
Polarity N-Channel
Drain-Source Voltage VDS 100V
Continuous Drain Current 170mA
Power Dissipation PD 225mW
Drain-Source Resistance RDS(on) 5.0Ω
Input Capacitance Ciss 20pF
Tₘᵢₙ -55°C
Tₘₐₓ 150°C
Packaging Tape on Reel
Зведена упаковка -/3 000/30 000 pcs
Вага 0.032000 g
Вага зведеної упаковки -/96 g/960 g
Митний код 85412900
Power N-MOSFET transistor

• Low threshold voltage ideal for low voltage applications
• Small case SOT–23

Application in DC-DC converters, in power management systems for electrical devices such as computers, mobile phones, printers, portable devices, etc.

Наявність

0 pcs on stock
by special order

Quantity

30 000 pcs Minimum order quantity
3 000 pcs Multiple
-/3 000/30 000 pcs Зведена упаковка

Ціна без ПДВ / pcs

pcs + 0,1006570 PLN