Power N-MOSFET transistor 100V/0.17A; 225mW

lrc.png
Индекс Ropla LRC0017
Обозначение изготовителя LBSS123LT1G
Изготовитель LRC
Карта каталога /lrc/lbss123lt1g.pdf lbss123lt1g.pdf (476,84KB)
Товарная группа MOS, FET Transistors
Изготовитель LRC
Mounting Style SMD
Package/Case SOT-23
Transistor Type MOSFET
Polarity N-Channel
Drain-Source Voltage VDS 100V
Continuous Drain Current 170mA
Power Dissipation PD 225mW
Drain-Source Resistance RDS(on) 5.0Ω
Input Capacitance Ciss 20pF
Tₘᵢₙ -55°C
Tₘₐₓ 150°C
Packaging Tape on Reel
Сводная упаковка -/3 000/30 000 pcs
Вес 0.032000 g
Вес сводной упаковки -/96 g/960 g
Таможенный код 85412900
Power N-MOSFET transistor

• Low threshold voltage ideal for low voltage applications
• Small case SOT–23

Application in DC-DC converters, in power management systems for electrical devices such as computers, mobile phones, printers, portable devices, etc.

Наличие

0 pcs on stock
by special order

Quantity

30 000 pcs Minimum order quantity
3 000 pcs Multiple
-/3 000/30 000 pcs Сводная упаковка

Цена без НДС / pcs

pcs + 0,1006570 PLN