hy_electronic.gif
Indeks Ropla HYE0653
Oznaczenie producenta HYG30P120H1K1
Producent HY Electronic
Karta katalogowa /hye/hyg30p120h1k1.pdf hyg30p120h1k1.pdf (1,37MB)

Grupa towarowa Moduły IGBT
Producent HY Electronic
Montaż THT
Napięcie kolektor-emiter VCES 1200V
Prąd kolektora IC 30A
Moc PD 200W
Napięcie nasycenia kolektor-emiter VCE(sat) 2.1V @25A
Pojemność wejściowa Ciss 2.6nF
Tₘᵢₙ -40°C
Tₘₐₓ 175°C
Pakowanie kartonik
Opakowanie zbiorcze -/8/- szt.
Numer celny 85411000
Tranzystor Bipolarny z Izolowaną Bramką (IGBT). Półprzewodnikowy element mocy używany w przekształtnikach energoelektronicznych o mocach do kilkuset kilowatów.

• sterowany napięciem
• niskie straty przewodzenia oraz przełączania
• niskie napięcie nasycenia (Vce sat)
• czujnik temperatury

Zastosowanie:
• napędy silników
• UPS
• wzmacniacz napędowy AC oraz DC
0 szt. w magazynie
na specjalne zamówienie

8 szt. Minimalna ilość zamówienia
8 szt. Krotność
-/8/- szt. Opakowanie zbiorcze
Pakowanie   kartonik

szt. + 235,8048000 zł.
Ten serwis wykorzystuje pliki cookies. Korzystanie z witryny oznacza zgodę na ich zapis lub odczyt wg ustawień przeglądarki. Zamknij